Цифровий гальванічний ізолятор WeAct Studio CA-IS3722HS (3.75 кВ, 150 Мбіт/с)

Модуль WeAct Studio CA-IS3722HS — це високошвидкісний цифровий гальванічний ізолятор, призначений для безпечної передачі цифрових сигналів між двома електрично ізольованими колами. Він забезпечує надійний захист обладнання від різниці потенціалів, електричних завад, імпульсних перенапруг і паразитних струмів.

В основі модуля використовується мікросхема CA-IS3722HS, яка забезпечує швидкість передачі даних до 150 Мбіт/с та напругу гальванічної ізоляції 3750 В RMS. Пристрій має два незалежні канали передачі: один у напрямку A→B та один у напрямку B→A, що дозволяє використовувати його для ізоляції UART, SPI, RS485, CAN та інших цифрових інтерфейсів.

Кожна сторона ізолятора має окреме живлення, що забезпечує повне електричне розділення кіл без передачі струму між ними.

Особливості

• Гальванічна ізоляція до 3750 В RMS.
• Швидкість передачі даних до 150 Мбіт/с.
• Два цифрові канали (1 вперед + 1 назад).
• Незалежне живлення обох сторін.
• Низьке енергоспоживання.
• Висока стійкість до електромагнітних завад.
• Підходить для промислової автоматизації та вбудованих систем.
• Компактна друкована плата зі стандартним кроком виводів.

Сфери застосування

• Ізоляція UART.
• Ізоляція SPI.
• Інтерфейси RS485 та CAN (разом із трансивером).
• Промислові контролери.
• Програматори та налагоджувачі.
• Системи автоматизації.
• Захист мікроконтролерів та одноплатних комп'ютерів.

Характеристики:

• Виробник: WeAct Studio
• Мікросхема: CA-IS3722HS
• Тип: цифровий гальванічний ізолятор
• Кількість каналів: 2 (1 канал A→B + 1 канал B→A)
• Максимальна швидкість передачі: до 150 Мбіт/с
• Напруга ізоляції: 3750 В RMS
• Незалежне живлення сторін: VDDA/GNDA та VDDB/GNDB
• Монтаж: DIP-сумісна плата з кроком виводів 2,54 мм
• Швидкість передачі: від постійного струму до 150 Мбіт/с.
• Міцний ізолюючий бар'єр:
  • Висока довговічність: > 40 років.
  • До 3500 градусів ізоляції VRMS.
  • ± 150 кВ/мікрон, типове CMTI.
• Широкий діапазон напруги живлення: від 2.5 до 5.5 В.
• Широкий діапазон робочих температур: - Від 40 ° C до 125 ° C
• Не потрібне початкове ініціювання
• Висока базова вихідна потужність
• Низьке енергоспоживання
  • 1.5 мА на канал при 1 Мбіт/с з VDD = 5.0 В
  • 6.6 мА на канал при 100 Мбіт/с з VDD = 5.0 В
• Найкраща у своєму класі затримка розповсюдження та розфазування
  • Типова затримка розповсюдження 12 нс
  • Розгойдування затримки поширення 2 нс (від чіпа до кристала) )
  • Спотворення ширини імпульсу 1 нс
  • Мінімальна тривалість імпульсу: 5 нс

Посилання:

• Даташит