Транзистор полевой 2N7002 (SOT-23) – быстродействующий n-канальный MOSFET изготовленный с использованием технологии DMOS. Данный транзистор отлично походит для управления в различных коммутационных устройствах, он имеет низкое пороговое напряжение затвор-исток, составляющее 2.1В, что обычно делает его пригодным даже для схем с напряжением 3.3В.

Транзистор полевой 2N7000 (TO-92) – быстродействующий n-канальный MOSFET изготовленный с использованием технологии DMOS. Данный транзистор отлично походит для управления в различных коммутационных устройствах, он имеет низкое пороговое напряжение затвор-исток, составляющее 2.1В, что обычно делает его пригодным даже для схем с напряжением 3.3В.

Транзистор полевой AO3400 (SOT-23) – быстродействующий n-канальный MOSFET изготовленный с использованием технологии DMOS. Данный транзистор отлично походит для управления в различных коммутационных устройствах, он имеет низкое пороговое напряжение затвор-исток, составляющее 1.5В, что обычно делает его пригодным даже для схем с напряжением 3.3В.

Транзистор биполярный BC817-40 широкого применения в корпусе SOT23 (набор - 10 шт).

Транзистор MMBT2222A - маломощный n-p-n транзистор с максимальным током коллектора 600 мА и максимальным напряжением коллектор-эмиттер до 40В в корпусе SOT23.

Сдвоенный маломощный высокочастотный кремниевый NPN транзистор MMDT3904 в корпусе SOT-363 (10 шт) предназначен для использования в портативной аппаратуре в цепях усиления, генерации и маломощных ключей. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 40 В с максимальным током коллектора не более 200 мА.

Транзистор S8050 (10 шт) – распространенный n-p-n транзистор с максимальным током коллектора 500 мА и максимальным напряжением коллектор-эмиттер до 25В в корпусе SOT-23.

Биполярный распространенный NPN транзистор широкого применения в корпусе TO-92.

Биполярный распространенный PNP транзистор широкого применения в корпусе TO-92.

Биполярный распространенный PNP транзистор широкого применения в корпусе TO-92.

Транзистор биполярный 2N5551 0.6A 160V NPN TO92. Корпус пластиковый TO92 с гибкими выводами.

Биполярный распространенный PNP транзистор широкого применения в корпусе TO-92.

Биполярный распространенный NPN транзистор широкого применения в корпусе TO-92.

Биполярный распространенный NPN транзистор широкого применения в корпусе TO-92.

Биполярный малошумящий NPN транзистор широкого применения в корпусе TO-92.

N-канальный полевой транзистор AOD4148 в корпусе TO-252 предназначен для коммутации силовых цепей постоянного тока. Транзистор рассчитан на коммутацию максимального тока 50 А (при температуре 25 градусов) при напряжении сток-исток до 40 В.

MOSFET силовой транзистор FDD8447L – [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 40 В: Iс(25°C): 50 А: Rси(вкл): 8.5...11 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В: Qз: 20 нКл.

Мощный полевой MOSFET транзистор IPLU300N04S4-R8 (маркировка 4N04R8) производства компании Infineon Technologies. Транзистор имеет управляемый N-канал и очень низкое сопротивление открытого канала, что обеспечивает низкие потери мощности при прохождении тока через открытый транзистор. Транзистор широко используется в различных электронных устройствах, требующих коммутацию больших токов: блоки питания, инверторы, преобразователи напряжения, системы управления электроэнергией и т.д.