Транзистор полевой 2N7002 (SOT-23) – быстродействующий n-канальный MOSFET изготовленный с использованием технологии DMOS. Данный транзистор отлично походит для управления в различных коммутационных устройствах, он имеет низкое пороговое напряжение затвор-исток, составляющее 2.1В, что обычно делает его пригодным даже для схем с напряжением 3.3В.
Транзистор полевой 2N7000 (TO-92) – быстродействующий n-канальный MOSFET изготовленный с использованием технологии DMOS. Данный транзистор отлично походит для управления в различных коммутационных устройствах, он имеет низкое пороговое напряжение затвор-исток, составляющее 2.1В, что обычно делает его пригодным даже для схем с напряжением 3.3В.
Транзистор полевой AO3400 (SOT-23) – быстродействующий n-канальный MOSFET изготовленный с использованием технологии DMOS. Данный транзистор отлично походит для управления в различных коммутационных устройствах, он имеет низкое пороговое напряжение затвор-исток, составляющее 1.5В, что обычно делает его пригодным даже для схем с напряжением 3.3В.
Транзистор MMBT2222A - маломощный n-p-n транзистор с максимальным током коллектора 600 мА и максимальным напряжением коллектор-эмиттер до 40В в корпусе SOT23.
Сдвоенный маломощный высокочастотный кремниевый NPN транзистор MMDT3904 в корпусе SOT-363 (10 шт) предназначен для использования в портативной аппаратуре в цепях усиления, генерации и маломощных ключей. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 40 В с максимальным током коллектора не более 200 мА.